型号：SKIIP2413GB123-4DL

品牌：Semikron|西门康

封装：IGBT

年份：2012+

数量：300

备注：_风冷1200V 2400A西门康模块

价格：RMB 电议 含税17%元/个

简述：风冷1200V 1200A西门康模块

 IGBT管在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击，发生过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT管损坏。IGBT管在使用时的损坏原因主要有过电压损坏和静电损坏

　　IGBT管在关断时，由于电路中存在电感成分，关断瞬间将产生尖峰电压。如果尖峰电压超过IGBT管器件的最高峰值电压，将造成IGBT管击穿损坏。IGBT管过电压损坏可分为集电极一栅极过电压、栅极一发射极过电压、高du/dt过电压等。

　　大多数过电压保护电路的设计都比较完善，但是对于由高du/dt所致的过电压故障，在设计中基本上都是采用无感电容或者RCD结构的吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够，会造成IGBT管损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极和栅极两端并接齐纳二极管（推荐使用美国Diodes公司的1.5KE××A产品系列），采用栅极电压动态控制方式。当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了IGBT管因受集电极一发射极过电压而损坏。

　　采用栅极电压动态控制可以解决由于过高的du/dt带来的集电极一发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是：当IGBT管处于感性负载运行状态时，关断的IGBT管由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，其集电极和发射极两端的电压急剧上升，承受很高的瞬间du/dt。在多数情况下该du/dt值要比IGBT管正常关断时的集电极一发射极电压上升率高。

　　由于米勒电容(Cres)的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极一发射极电压UGE升高，甚至超过IGBT管的开通门限电压UGEth，出现的恶劣情况就是使IGBT管被误触发导通。

1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3

SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A

SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A

SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A

SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A

1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4

SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A

SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A

SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A

SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A

SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A

SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A

1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3

SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A

SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A

SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A

SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A

SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A

SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A

SKIIP513GB172-3DUL V3   1700V----500A

SKIIP603GB172-3DUW V3   1700V----600A

1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4

SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A

SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A

SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A

SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A

SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A

SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A