倾佳电子专业分销BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。

BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：

充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案

光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案

空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案

OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案

服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案

基本?再度亮相全球功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

倾佳电子专业分销的BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：

1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质.

2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用.

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。

Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ?栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。

Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）?栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

倾佳电子专业分销的基本?B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

? 比导通电阻降低40%左右

? Qg降低了60%左右

? 开关损耗降低了约30%

? 降低Coss参数，更适合软开关

? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险

? *工作结温175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试

? 优化栅氧工艺，提高可靠性

? 高可靠性钝化工艺

? 优化终端环设计，降低高温漏电流

? AEC-Q101

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。SiC MOSFET越来越多地用于高压电源转换器，因为它们可以满足这些应用对尺寸、重量和/或效率的严格要求.

碳化硅 (SiC) MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。SiC MOSFET 的价格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 贵。然而，在评估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整体电力电子系统价值时，需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。需要仔细考虑以下电力电子系统节省： *降低无源元件成本，无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。

倾佳电子专业分销的基本?第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本?还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。

基本?第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗*能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

倾佳电子专业分销的基本?第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M80120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块，半桥SiC MOSFET模块，ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPT BOOST SiC MOSFET模块。

B2M032120Y国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。

B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。

B2M020120Y国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。

B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。

B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。

B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。